Phosphure de bore - Boron phosphide
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| Identifiants | |
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Modèle 3D ( JSmol )
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| Carte d'information de l'ECHA |
100.039.616 
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CID PubChem
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Tableau de bord CompTox ( EPA )
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| Propriétés | |
| PA | |
| Masse molaire | 41,7855 g/mol |
| Apparence | poudre marron |
| Densité | 2,90 g / cm 3 |
| Point de fusion | 1 100 °C (2 010 °F; 1 370 K) (se décompose) |
| Bande interdite | 2,1 eV (indirect, 300 K) |
| Conductivité thermique | 4,6 W/(cm·K) (300 K) |
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Indice de réfraction ( n D )
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3,0 (0,63 µm) |
| Structure | |
| Mélange de zinc | |
| F 4 3m | |
| tétraédrique | |
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Sauf indication contraire, les données sont données pour les matériaux dans leur état standard (à 25 °C [77 °F], 100 kPa). |
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 vérifier ( qu'est-ce que c'est ?)
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| Références de l'infobox | |
Le phosphure de bore (BP) (également appelé monophosphure de bore, pour le distinguer du sous- phosphure de bore, B 12 P 2 ) est un composé chimique de bore et de phosphore . C'est un semi - conducteur .
Histoire
Des cristaux de phosphure de bore ont été synthétisés par Henri Moissan dès 1891.
Apparence
Le BP pur est presque transparent, les cristaux de type n sont rouge orangé tandis que ceux de type p sont rouge foncé.
Propriétés chimiques
Le BP n'est pas attaqué par les acides ou les solutions aqueuses alcalines bouillantes. Il n'est attaqué que par les alcalis fondus.
Propriétés physiques
Certaines propriétés de BP sont énumérées ci-dessous :
- constante de réseau 0,45383 nm
- coefficient de dilatation thermique 3,65 × 10 −6 /°C (400 K)
- capacité calorifique C P ~ 0,8 J/(g·K) (300 K)
- Température de débrayage = 985 K
- Module de masse 152 GPa
- microdureté relativement élevée de 32 GPa (charge 100 g).
- mobilités des électrons et des trous de quelques centaines de cm 2 /(V·s) (jusqu'à 500 pour les trous à 300 K)
- conductivité thermique élevée de ~ 460 W/mK à température ambiante
Voir également
Les références
Lectures complémentaires
- King, RB, éd. (1999). La chimie du bore au millénaire . Elsevier Science & Technologie. ISBN 0-444-72006-5.
- Brevet américain 6831304 , Takashi, U., « PN Junction Type Boron Phosphide-Based Semiconductor Light-Emitting Device and Production Method this », délivré le 2004-12-14, attribué à Showa Denko
- Pierre, B. ; Hill, D. (1960). "Propriétés semi-conductrices du phosphure de bore cubique". Lettres d'examen physique . 4 (6) : 282-284. Bibcode : 1960PhRvL ... 4..282S . doi : 10.1103/PhysRevLett.4.282 .
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